雙電四探針電阻率詳情介紹

雙電四探針電阻率詳情介紹

適用范圍

1.覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試

2.硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻  半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，

3.EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率  導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，

4.抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等，

雙電四探針電阻率詳情介紹

功能描述Description：

1. 四探針組合雙電測量方法

2. 液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.

3. 集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.

4. 選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.

5. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇

參照標準：

1.硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.

雙電組合測試方法：

利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響，適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。

工作原理和計算公式

1.雙電測四探針法測試薄層樣品方阻計算和測試原理如下：

直線四探針測試布局如圖8，相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據(jù)物理基礎和電學原理：

當電流通過1、4探針，2、3探針測試電壓時計算如下：